Компания Samsung сообщила о начале
массового производства высокоскоростных чипов памяти GDDR5 –
50-нанометровый техпроцесс позволил довести частоту до 7 ГГц. При этом
энергопотребление даже понизилось, а тепловыделение осталось в пределах
разумного. Так, новые чипы потребляют 1,35 В энергии, это заметно ниже
1,425-1,575 В у доступных в данный момент чипов GDDR5. Samsung ожидает,
что эффективность производства повысится на 100% по сравнению с
нынешним 60-нанометровым техпроцессом. Новая память может обеспечить
пропускную способность 224 Гб/с или 448 Гб/с (при подключении к 256-
или 512-битной шине соответственно).
